RAM: Micron sarà la prima a vendere i moduli PCM

Il primo modello con tecnologia a 45 nanometri sarà montato all’interno di cellulari di fascia bassa

venerdì 20 luglio 2012

Presto un nuovo tipo di memoria per computer si affaccerà sul mercato. Si tratta della cosiddetta PCM (Phase Change Memory) o memoria a cambio di fase: un tipo di memoria RAM flash che funziona sfruttando il cambio della materia o, meglio, trasformando un cristallo da solido a uno stato amorfo.

A portare in commercio per prima questa nuova tecnologia di salvataggio dei dati sarà Micron, una delle due più grandi aziende al mondo per questo tipo di prodotti (memorie RAM). Qualche giorno fa, infatti, la società ha diffuso un comunicato con cui annuncia la disponibilità dei suoi nuovi moduli PCM da 45 nanometri, ossia di un prodotto per dispositivi mobili (low-power DDR2) dal formato “blocco con più chip”, contenente un modulo da 1Gigabit più uno da 512 Megabit di memoria volatile di tipo standard. Questo taglio al momento è sufficiente per essere adottato su telefonini di fascia bassa – i cosiddetti “feature phone” – anche se ben presto Micron prevede la messa in produzione di moduli PCM di taglio maggiore, in grado perciò di essere montati anche su smartphone e tablet.

Micron, insomma, è riuscita a creare un prodotto PCM – peraltro approvato da Intel - pronto per essere portato sul mercato; presto sarà in grado di fornirlo in quantità industriali a tutte le realtà del comparto hi-tech che ne faranno richiesta - in particolar modo ai produttori di apparecchi mobili - anche se non si sa con precisione quando questo accadrà. 

Teoricamente la tecnologia Phase Change Memory può arrivare a velocità di scrittura anche molto alte – persino più alte delle tradizionali memorie di tipo NAND – in quanto non ha bisogno di sprecare tempo nella cancellazione del dato prima della riscrittura; questo significa che in un futuro più o meno remoto i nuovi moduli potrebbero persino andare a sostituire in massa le RAM che attualmente si usano nei pc desktop o portatili. Inoltre si tenga conto che, sebbene ci troviamo di fronte alla prima generazione di questo tipo di prodotti, la loro velocità di lettura da 400MB al secondo è già ad un ottimo livello, paragonabile alle altre memorie RAM già in commercio. 

Ma perché c’è voluto tutto questo tempo per la loro messa a punto? Perché i moduli di memoria a cambio di fase non sono stati portati prima sul mercato? A dire il vero su questa tecnologia si lavora già da tempo ma purtroppo presentava un scoglio alquanto difficile da superare, una specie di collo di bottiglia che ne impediva la commercializzazione. Le PCM presentavano tempi di scrittura bassi a causa di una caratteristica tecnica dei materiali con cui vengono prodotti i moduli. Recentemente l’Università di Cambridge ha trovato una cura a questo tipo di problema sfruttando un sistema che tiene l’energia costante e che quindi permette al materiale di cui sono fatti i moduli – un ibrido di germanio, animonio e tellurio – di cristallizzare più velocemente, ossia ai dati di essere memorizzati a un tasso di velocità paragonabile a quello delle memorie NAND che già usiamo nei nostri computer. Facendogli passare attraverso un campo elettrico a bassa intensità, ma costante, la sostanza esegue le operazioni di scrittura in soli 500 picosecondi, ossia 10 volte più velocemente di un prototipo precedente che non usava il flusso di energia continua, né l’antimonio per la miscela di elementi chimici. Al momento il materiale standard per i moduli di memoria PCM è fatto di  una lega calcogenura composta da Germanio, Antimonio e Tellurio (Te), denominata GST. Questa miscela, stimolata da una corrente di programmazione che la attraversa, è in grado di cambiare fase (passare cioè dallo stato cristallina a quello amorfo) in modo reversibile.

Altri ricercatori sono riusciti a fare anche di meglio con la memoria a cambiamento di fase. A San Diego, presso l’Università della California, hanno realizzato un prototipo di SSD (Solid State Disk) con moduli PCM che può spingersi sino a velocità di scrittura 7 volte superiori a quelle dei dischi a stato solito attualmente in commercio; ciò è stato possibile in quanto, anziché memorizzare blocchi di dati, il prototipo riscrive singoli bit (gli 1 e gli 0). Il disco – denominato Moneta Onyx ma ancora non pronto per essere portato in commercio – riesce a scrivere dati sino alla velocità di 91 Megabyte al secondo e a leggere 327 Megabyte/sec.  

Nicola Smeerch Bruno