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IBM realizza memorie PCM 100 volte più veloci delle Flash

Arriveranno sul mercato nel 2016 e saranno integrate in qualsiasi tipo di dispositivo

Fabrizio Mistretta

Pubblicata in rete il 01/07/2011 03:27, tempo medio di lettura 2 minuti e 4 secondi

(ITnews) - Roma -

A distanza di sole due settimane dai festeggiamenti per i 100 anni di attività, gli IBM Research Labs hanno da poco annunciato la commercializzazione di soluzioni con memoria PCM (Phase-change memory detta anche Ovonic Unified Memory, OUM) a partire dal 2016.

Le PCM sono memorie non volatili 100 volte più veloci delle attuali Flash (memoria invece di tipo volatile) che consentiranno di realizzare dispositivi e sistemi di storage a basso costo e con una durata maggiore. Putroppo a causa della variazione del livello di resistenza che provocava errori di lettura, sino ad ora è stato possibile sviluppare solo memorie PCM con un solo bit per cella.



I ricercatori dell’IBM, invece sono andati oltre, riuscendo ad applicare una tensione di forza differente e controllando il cambiamento di fase: in questo modo hanno ottenuto quattro livelli di resistenza per memorizzare i valori 00, 01, 10 e 11.

«Abbiamo applicato un impulso di tensione basato sulla deviazione del livello desiderato e poi misurato la resistenza. Se il livello desiderato di resistenza non è raggiunto, applichiamo un altro impulso di tensione e rieseguiamo la misura fino a raggiungere il livello esatto» ha dichiarato Haris Pozidis, Manager of Memory and Probe Technologies di IBM Research.

Questo tipo di memoria messa a punto da IBM, che consente l’archiviazione di 2 bit per cella, è stata sviluppata grazie alla tecnologia CMOS (sistema utilizzato in elettronica per la progettazione di circuiti integrati) a 90 nanometri.

Nello specifico i ricercatori sono riusciti ad archiviare due bit per cella su un chip con 256 milioni di celle, per una capacità totale dunque di 512 Megabit. Come già detto, le memorie PCM vantano una vita molto lunga: sono in grado di supportare infatti oltre 10 milioni di cicli di scrittura - contro i 30 mila di una MLC NAND Flash da 25 nm.

I traguardi raggiunti con questi studi permetteranno all'azienda americana di sviluppare memorie non volatili a basso costo e velocissime, che saranno integrate sia in dispositivi di elettronica di consumo - come smartphone, pc, notebook, ecc. - che in sistemi per l'archiviazione di dati nel settore enterprise, comprese soluzioni avanzate di cloud storage.

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